其全球布局中，欧洲工厂（德国、英国）负责晶圆制造，中国工厂（东莞、无锡）负责封装测试

一、安世半导体晶圆制造情况

安世半导体的晶圆制造分工明确。其全球布局中，欧洲工厂（德国、英国）负责晶圆制造，中国工厂（东莞、无锡）负责封装测试。

安世半导体最主要、最核心的晶圆基地位于中国广东东莞，拥有庞大的晶圆厂，负责生产绝大部分芯片。

英国曼彻斯特保留了原来恩智浦的晶圆厂，会生产一部分芯片，特别是某些需要特殊工艺或作为产能补充的产品。

安世半导体上海公司生产晶圆，且正常工作，有自有12英寸晶圆产能，并得到国内供应链支持。

近期，安世半导体面临供应问题。10月26日起，其暂停向广东东莞工厂供应晶圆，安世中国子公司正加速转向国内晶圆供应商，如无锡新洁能、杭州士兰微电子、扬州扬杰电子以及上海鼎泰匠芯等。其中，上海鼎泰匠芯投资120亿元在上海建设的12英寸晶圆厂受关注，规划月产能达10万片，分三期建设，一期月产能4.5万片，技术节点涵盖0.18微米和0.11微米制程。不过，其一期产能低于安世德国汉堡工厂，短期内难以完全弥补供应缺口。安世中国已制定多项应急计划，拥有充足库存，正加快对新晶圆供应商的认证工作，预计从2026年起可无缝满足客户需求。

二、氮化镓半导体目前的发展现状如何

目前氮化镓半导体正处于快速增长的发展阶段，市场空间持续扩大，技术和产业布局都在不断成熟完善

2025年全球氮化镓半导体市场销售额达27.39亿美元，预计2032年将增长至89.29亿美元，2026-2032年的年复合增长率为18.7%。中国市场增速高于全球平均水平，在全球市场的占比也在逐步提升。

•衬底技术：呈现多元化发展态势。硅基GaN凭借大尺寸、低成本优势占据消费电子和部分工业应用主导地位，英飞凌2025年展出300毫米硅基GaN晶圆，预计2026年底至2027年实现100伏器件规模化量产；垂直GaN技术采用氮化镓单晶晶圆，可实现更高击穿电压和功率密度，成为当前研发热点；蓝宝石衬底GaN在性能和成本间取得平衡，在消费电子领域的应用持续扩大；金刚石衬底则有望解决高功率场景下的散热难题。

•封装技术：2026年，xQFN、TOLx等先进表面贴装封装以及集成功率模块成为主流方向。高功率GaN模块可支持最高70kW输出功率，适配工业电机驱动、直流快速充电等场景，新一代封装还能主动参与系统优化，充分释放氮化镓器件的极限性能。

全球范围内英飞凌、意法半导体、德州仪器、英诺赛科、三安光电等众多企业都在积极布局氮化镓半导体产业。自2023年起，行业受重大并购交易推动步入整合阶段，各大企业持续加码布局：安世半导体拓展增强型氮化镓器件平台，罗姆半导体推出EcoGaN器件，安森美扩大生产规模，三星计划2026年推出相关产品。

-电信领域：是5G基站射频前端的核心底层支撑材料；

-数据中心：成为人工智能数据中心的核心配套器件；

-工业与消费领域：可用于机器人高频率紧凑型电机驱动器，在家用电器中凭借高能效特性契合消费者需求；

-低功率电子系统：可为48V DC/DC转换器、12V负载点转换器提供技术支撑，适配便携设备的多电压供电需求。